物理学院纳米结构与低维物理研究团队在拓扑绝缘体纳米材料的光热

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来源:未知    时间:2014-08-14 12:32

 

  是拓扑绝缘体家族中一种重要的三维强拓扑绝缘体。拓扑绝缘体纳米结构因其巨大的比表面积和增强的表面电导贡献非常有利于探索拓扑绝缘体奇异表面态的物质和开发拓扑绝缘体在自旋电子学等方面的潜在应用。《夺宝奇兵4:水晶骷髅王国》全集在线观看_《夺宝奇兵4:水晶骷髅王国》高清下载_动作电影

  物理学院俞大鹏研究团队的青年教师廖志敏副教授带领研究生在拓扑绝缘体Bi

  纳米结构,在量子输运测量中观测到Shubnikov-de Haas(SdH)振荡,分析表明存在Berry相位π,这是拓扑绝缘体表面狄拉克费米子的重要特征(Scientific Reports3,1264,2013);此外,他们在低温强条件下系统研究了单个Bi

  纳米片的输运性质,发现其载流子迁移率高达104cm2/Vs,并且在14 特斯拉强下观察到高达400%尚无饱和迹象的正磁阻效应,了磁电阻与迁移率之间的相互关系(Applied Physics Letters103,033106,2013);磁输运测量对于拓扑表面态的物质具有重要意义,但是在垂直下,SdH振荡总是叠加在一个很大的线性磁阻背景上,这为分析表面狄拉克费米子的输运行为带来困难,他们通过外加平面内,测量到明显的SdH振荡,而没有正磁阻背景,确认了来源于Bi

  纳米片侧面表面态的量子输运(Scientific Reports4,3817,2014)。

  通过圆偏振光可以选择性激发拓扑绝缘体的表面态,从而产生自旋极化的表面态,由于自旋方向与动量方向的锁定关系,样品中会产生电子定向运动的光电流。Bi

  也是一个很好的热电材料,在非均匀的光辐照下,会产生光热电效应。最近,该研究团队协同创新,与大学国际量子材料科学中心孙栋教授、大学物理研究生系周树云教授(ARPES测量)、比利时安特卫普大学的G. V. Tendeloo 教授和柯小行博士(球差矫正电镜原子分辨结构研究)、理工大学吴汉春教授等合作,观测到Bi

  中圆偏振光增强的光热电效应 (Nano LettersDOI: 10.1021/nl501276e,2014)

  上述研究工作得到了人工微结构与介观物理国家重点实验室、量子物质科学协同创新中心、国家973计划和国家自然科学基金的大力支持。

   

  编辑:安宁



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